| 型号：ALD111933SAL | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Advanced Linear Devices Inc |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
| 系列 | EPAD® |
| 制造商 | Advanced Linear Devices Inc |
| FET型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 10.6V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 6.9mA |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 500 欧姆 @ 5.9V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.35V @ 1µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | - |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐171-4755-196微信同号，无线联通更快捷！8171-4755-1968（微信同号） |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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